光 電 實 驗 室
【電光效應(E.O.)】
電光晶體(Eelectro-Optic-Modulator,EOM) 本實驗採用Thorlab出產編號EO-AM-NR-C1之電光晶體,其規格如下: 材料:LiNbO3 孔徑:2mm,Diameter Wave length range:600-900nm Input connector SMA female Max output power density 2W/mm2,532nm 4W/mm2,1064nm
A、起偏板P1⊥檢偏板P2: 調整起偏板,使得起偏板P1與檢偏板P2垂直,記錄此時起偏板P1與檢偏板P2刻度值。
(1、對光,確定光訊號最強。)
(2、放入EOM晶體)
(3、放入線偏振片 P1 和 P2,調整線偏振片P1,使得 P1 與 P2 垂直,記錄此時 P1 與 P2 刻度值。) B、確定高壓放大器(High Voltage Amplitier)放大倍率: 1、高壓放大器 v.s. 訊號產生器放大倍率 2、高壓放大器 v.s. monitor 放大倍率 (確定訊號產生器輸出訊號大小) (確定高壓放大器放大倍率)
C、相位調制: 訊號產生器設定輸出 1kHz、200mVp-p。(即高壓放大器輸出電壓約為16Vp-p。)
D、振幅調制: 1、P1與EOM夾45度角。P1垂直P2。
4、改變訊號產生器輸出波型。存圖。
E、V(π/2)、DC Offset和 λ/4 波片 1、紀錄DC Offset,計算 V(π/2)。 3、P1與EOM夾45度角。P1垂直P2。 F、響應頻率: 1、P1與EOM夾45度角。P1垂直P2。
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