光 電 實 驗 室

【電光效應(E.O.)】

電光晶體EOM

電光晶體(Eelectro-Optic-Modulator,EOM)

本實驗採用Thorlab出產編號EO-AM-NR-C1之電光晶體,其規格如下:

材料:LiNbO3

孔徑:2mmDiameter

Wave length range600-900nm

Input connector SMA female

Max output power density 2W/mm2532nm

                                         4W/mm21064nm


 

A、起偏板P1⊥檢偏板P2:

調整起偏板,使得起偏板P1與檢偏板P2垂直,記錄此時起偏板P1與檢偏板P2刻度值。

(1、對光,確定光訊號最強。)

(2、放入EOM晶體)

(3、放入線偏振片 P1 和 P2,調整線偏振片P1,使得 P1 與 P2 垂直,記錄此時 P1 與 P2 刻度值。)


B、確定高壓放大器(High Voltage Amplitier)放大倍率:

1、高壓放大器 v.s. 訊號產生器放大倍率

2、高壓放大器 v.s. monitor 放大倍率

(確定訊號產生器輸出訊號大小)

(確定高壓放大器放大倍率)

訊號產生器輸出設定為100Hz,50mVp-p。

黃線為 CH1,High-VoltageOutput 輸出

綠線為 CH2,monitor 輸出

 

不管是 Agilent-33120A 或 Tektronix-AFG 3021,這兩台訊號產生器原廠設定輸出為50Ω,因此在訊號產生器所設定的輸出振幅與實際輸出訊號振幅差2倍。

 

亦即,當我們設定訊號產生器輸出為50mVp-p100Hz,但實際上,輸出訊號為100mVp-p100Hz。可以將訊號產生器直接接到示波器觀察輸出訊號。

 

 

 


C、相位調制:

訊號產生器設定輸出 1kHz、200mVp-p。(即高壓放大器輸出電壓約為16Vp-p。)

 

 


D、振幅調制:

1、P1與EOM夾45度角。P1垂直P2。

4、改變訊號產生器輸出波型。存圖。

振幅調制--正弦波

振幅調制--方波

 

振幅調制--三角波

 

E、V(π/2)、DC Offset和 λ/4 波片

1、紀錄DC Offset,計算 V(π/2)。

3、P1與EOM夾45度角。P1垂直P2。


F、響應頻率:

1、P1與EOM夾45度角。P1垂直P2。

 

   

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